Snapdragon 8 Gen 2 od Qualcommu běžící v řadě Samsung Galaxy S23 má navýšení rychlosti CPU a GPU, což umožňuje SoC registrovat vyšší výkon v některých úlohách. 

Snapdragon 8 Gen 3 pro Galaxy, označovaný jako „Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy“, by mohl nabídnout nejvyšší jednojádrový výkon pro jakékoli zařízení a porazit A17 Bionic, alespoň podle tipéra.

Na Twitteru společnost RGcloudS zahájila komplexní vlákno, které hovořilo o výrobních uzlech nové generace společností Samsung a TSMC. V tomto vláknu jsme si všimli, že se mluví o Snapdragonu 8 Gen 3 pro Galaxy, což je výkonnější varianta Snapdragon 8 Gen 3 společnosti Qualcomm určená výhradně pro řadu Samsung Galaxy S24 na příští rok. Tipér tvrdí, že nový SoC bude schopen podat jednojádrový výsledek 2 000 bodů, čímž porazí A17 Bionic.

Vzhledem k tomu, že Geekbench 6 byl nedávno uveden na trh, pravděpodobně odkazuje na skóre získaná nadcházející čipovou sadou při běhu v Geekbench 5. Pro srovnání, A16 Bionic dosahuje přibližně 1 800+ bodů a očekává se, že A17 Bionic se zaměří spíše na energetickou účinnost než výkon, existuje možnost, že se Snapdragon 8 Gen 3 pro Galaxy stane novým králem smartphonu na jedno jádro.

Minulý týden byl zveřejněn dřívější údajný únik jednoho jádra a více jader běžného Snapdragonu 8 Gen 3, který ukazuje, že SoC v obou testech překonává A16 Bionic a získává jednojádrové skóre 1 930. Vzhledem k tomu, že Snapdragon 8 Gen 3 pro Galaxy bude pravděpodobně běžet na vyšších frekvencích CPU a GPU, není těžké uvěřit, že druhý z nich prolomí skóre 2 000 bodů v jednojádrovém testu v Geekbench 5.

Jedinou otázkou je, koho si Qualcomm vybere pro hromadnou výrobu Snapdragonu 8 Gen 3; TSMC nebo Samsung? Je možné, že Qualcomm přijme přístup s duálním získáváním zdrojů, kde jsou zapojeny jak TSMC, tak Samsung, ale je příliš brzy na odhady, stejně jako je příliš brzy na humbuk kolem Snapdragonu 8 Gen 3 pro Galaxy.

Teprve skutečné výsledky na jednotlivých zařízení nám odhalí, zda se tyto predikce naplní.